深圳市嘉德半导体技术有限公司江小俊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市嘉德半导体技术有限公司申请的专利闪存芯片测试板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223273025U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422006435.9，技术领域涉及：G11C29/56；该实用新型闪存芯片测试板是由江小俊;乐群英;乐群建设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存芯片测试板在说明书摘要公布了：本实用新型提供闪存芯片测试板，涉及芯片测试技术领域。该闪存芯片测试板，包括测试基板，所述测试基板前侧设置有插座，所述测试基板中部设置有测试座；所述测试座中部开设有凹槽，所述测试座两侧均设置有若干个安装槽触点，所述测试基板后侧固定有固定架，所述固定架上设置有连接结构，连接结构上设置有调节板和压制架；连接结构能够带着调节板和压制架以凹槽深度方向做滑动，以调节不同压力进行夹持。该闪存芯片测试板，通过人力转动丝杆进行旋转作业，实现可调节夹持的效果，达到提高芯片测试板实用性的作用，通过人力拉动移动架进行移动作业，实现便捷取料的效果，达到提高芯片测试板使用便捷性的作用。
本实用新型闪存芯片测试板在权利要求书中公布了：1.闪存芯片测试板，包括测试基板1，其特征在于：所述测试基板1前侧设置有插座2，所述测试基板1中部设置有测试座3； 所述测试座3中部开设有凹槽4，所述测试座3两侧均设置有若干个安装槽触点5，所述测试基板1后侧固定有固定架6，所述固定架6上设置有连接结构，连接结构上设置有调节板8和压制架11；连接结构能够带着调节板8和压制架11以凹槽4深度方向做滑动，以调节不同压力进行夹持。
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