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龙图腾网获悉深圳市国微电子有限公司申请的专利一种双向IO电路及芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223274103U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422005050.0，技术领域涉及：H03K19/0185；该实用新型一种双向IO电路及芯片是由贾柱良;吕明;张超建设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向IO电路及芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种双向IO电路及芯片，该电路的斜率控制电路中，PMOS驱动模块包括多个第一驱动电阻和多个第一开关单元，NMOS驱动模块包括多个第二驱动电阻和多个第二开关单元，通过第一开关单元和第二开关单元的开启，使得PMOS驱动模块和NMOS驱动模块中多个第一驱动电阻和第二驱动电阻的组合路径阻值较小，能够降低PMOS驱动模块和NMOS模块输出的电流变化斜率，有效减小了电路中地弹噪声的影响，进而提高了芯片的可靠性和成品率。

本实用新型一种双向IO电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种双向IO电路，其特征在于，包括： 电源端口、使能端口、输入端口、接地端口、第一输入驱动电路、斜率控制电路、第二输入输出驱动电路、双向输入输出端口和输出端口； 所述第一输入驱动电路的输入端电连接于所述使能端口的输出端、所述输入端口的输出端以及所述电源端口；所述第一输入驱动电路的输出端电连接于所述斜率控制电路的输入端以及所述接地端口； 所述斜率控制电路的输入端电连接于所述第一输入驱动电路的输出端，所述斜率控制电路的输出端电连接于所述第二输入输出驱动电路的输入端； 所述斜率控制电路包括PMOS驱动模块和NMOS驱动模块； 所述PMOS驱动模块包括第一PMOS管、第一NMOS管和第一逻辑控制单元，所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极电连接于所述第一输入驱动电路的第一输出端，所述第一PMOS管的N阱和源极电连接于电源端口，所述第一NMOS管的衬底和源极电连接于所述接地端口，所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极之间串联多个第一驱动电阻，所述第一PMOS管的漏极还电连接于所述第二输入输出驱动电路的第一输入端； 所述第一逻辑控制单元包括多个第一开关单元，任意相邻的两所述第一驱动电阻之间电连接于一所述第一开关单元的第一端，各所述第一开关单元的第二端电连接于所述第一NMOS管的漏极； 所述NMOS驱动模块包括第二PMOS管、第二NMOS管和第二逻辑控制单元，所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极电连接于所述第一输入驱动电路的第二输出端，所述第二PMOS管的N阱和源极电连接于电源端口，所述第二NMOS管的衬底和源极电连接于所述接地端口，所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极之间串联第二驱动电阻，所述第二NMOS管的漏极还电连接于所述第二输入输出驱动电路的第二输入端； 所述第二逻辑控制单元包括多个第二开关单元，任意相邻的两所述第二驱动电阻之间电连接于一所述第二开关单元的第一端，各所述第二开关单元的第二端电连接于所述第二PMOS管的漏极； 所述第二输入输出驱动电路还电连接于所述双向输入输出端口和所述输出端口。

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