深圳市汇芯通信技术有限公司梁帅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利氮化物半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411024853.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权氮化物半导体器件及其制造方法是由梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。本申请通过在器件中设计栅极沟槽，将栅极金属制备在其栅极沟槽内，然后在器件上设计围绕栅极沟槽的圆环状的源极沟槽，且在源极沟槽内制备源极金属。此种设置能够将栅极包裹在圆环结构的源极内，以减少栅极区域受到的电场强度，从而降低栅极击穿的风险。同时圆环状的源极沟槽的设计，有助于更均匀的分布电场，减少电场集中的区域，进一步防止过早击穿，以提高器件和性能和可靠性。
本发明授权氮化物半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体器件，包括沿器件的垂直方向依次设置的第一金属层、辅助层、漂移层、调控层、沟道层、势垒层以及第二金属层，其特征在于， 所述氮化物半导体器件还包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均贯穿所述势垒层、沟道层和所述调控层后，延伸至所述漂移层内；所述调控层能够有效调节所述漂移层中的电场分布； 所述氮化物半导体器件还包括第三沟槽，所述第三沟槽贯穿所述调控层后延伸至所述漂移层内，所述第三沟槽内填充有第一半导体层，且所述第一半导体层与所述调控层上表面齐平，所述第一半导体层选用为P型掺杂的氮化镓； 所述第一沟槽内设置有覆盖槽底部和槽侧壁的介质层及填充于所述第一沟槽内的第三金属层； 所述第二沟槽内填充有所述第二金属层； 所述第二沟槽围绕所述第一沟槽设置，且所述第二沟槽呈圆环状。
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