湖南工商大学朱孟龙获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南工商大学申请的专利一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118814260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410112780.2，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法是由朱孟龙;陈智慧设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维平面垂直构型SnSSnS2异质结的制备方法，利用单一分子束蒸发源直接加热SnS粉末，在超高真空环境中，直接将SnS分子沉积在Au衬底之上，利用SnS分子与Au衬底的相互作用，一步法直接制备二维平面垂直构型SnSSnS2异质结，本技术采用超高真空分子束外延法将SnS分子沉积在Au衬底上，SnSSnS2异质结的生长环境干净且无杂质来源，所制备的SnSSnS2异质结纯度高，且生长机理简单。本发明所公开的一种二维平面垂直构型SnSSnS2异质结的制备方法，所制备的SnSSnS2异质结为二维平面垂直构型SnSSnS2异质结，不同于一步溶剂热法及一步相控合成所制备的纳米晶构型的SnSSnS2异质结，同时，超高真空分子束外延法还可以对二维平面垂直构型SnSSnS2异质结的形貌、层数及厚度进行精确控制。
本发明授权一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维平面垂直构型SnSSnS2异质结的制备方法，其特征在于，包括： S1、原料准备：将装有SnS粉末的分子束蒸发源安装在分子束外延生长腔体内，对所述SnS粉末进行除气操作，并将分子束蒸发源的温度调整至第一预设温度； S2、衬底初步除气：在超高真空分子束外延系统中装入Au衬底，在第一预设条件下对Au衬底进行加热； S3、衬底进一步处理：在超高真空分子束外延系统中，使用Ar离子枪对Au衬底表面进行第一预设时间的轰击，在第二预设条件下对Au衬底进行高温退火处理，处理流程循环多次； S4、异质结沉积：对Au衬底进行预加热，将分子束蒸发源的温度加热到450℃，并持续第二预设时间，打开掩膜版，将Au衬底暴露在分子束蒸发源前端，便于SnS沉积在Au衬底表面形成二维平面垂直构型SnSSnS2异质结。
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