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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117193454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311357340.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路是由邱旻韡;屈柯柯设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路，属于模拟集成电路领域。所述抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路包括主环路和次环路，所述主环路用于改善单粒子效应；所述次环路与所述主环路并联设置，跳过速度慢的器件直接控制所述主环路，及时纠正单粒子瞬变引起的误差。本发明利用双环路控制结构，提高环路响应速度，及时纠正单粒子瞬变引起的误差，克服了传统三模冗余误差放大器由于器件失配效应导致的三份误差放大器电性能差异，恶化环路调整能力；利用在重要节点增加二极管和电容的技术来改善抗单粒子瞬态性能，所需电路面积和功耗大幅降低，降低电路成本。

本发明授权一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路，其特征在于，所述抗单粒子效应辐射加固线性稳压器电路包括PMOS晶体管MP1~MP5、NMOS晶体管MN1~MN6、二极管D1、电阻R1~R4、电容C1~C5、误差放大器EA以及等效电流源I1； PMOS晶体管MP1、MP2和MP3的栅极均连接VB信号，源极均连接电源，PMOS晶体管MP1的漏极连接NMOS晶体管MN1的漏极，PMOS晶体管MP2的漏极同时连接自身栅极和NMOS晶体管MN5的漏极，PMOS晶体管MP3的漏极连接NMOS晶体管MN6的漏极； NMOS晶体管MN1的栅极同时接自身漏极和NMOS晶体管MN2的栅极，NMOS晶体管MN5的栅极和NMOS晶体管MN6的栅极均接参考电压VREF，NMOS晶体管MN5的源极接NMOS晶体管MN3的漏极，NMOS晶体管MN3的栅极连接NMOS晶体管MN4的栅极，NMOS晶体管MN6的源极接NMOS晶体管MN2的漏极；电容C1的第一端同时接NMOS晶体管MN1的栅极和NMOS晶体管MN2的栅极，NMOS晶体管MN1的源极、NMOS晶体管MN2的源极、NMOS晶体管MN3的源极和电容C1的第二端均接地； 二极管D1的正极同时接PMOS晶体管MP3的漏极和NMOS晶体管MN6的漏极，二极管D1的负极接电源；电容C2的第一端接电源，第二端接电阻R3的第一端，电阻R3的第二端接二极管D1的正极；PMOS晶体管MP4的源极接电源，栅极同时接电阻R3的第二端和二极管D1的正极，漏极同时接误差放大器EA的电源输入端、PMOS晶体管MP5的源极和线性稳压器电路的输出端VOUT；误差放大器EA的正端连接参考电压VREF，负端同时连接电阻R1的第一端和电容C5的第一端，输出端同时连接PMOS晶体管MP5的栅极、电阻R4的第一端和电容C4的第一端；PMOS晶体管MP5的漏极连接NMOS晶体管MN4的漏极和栅极，NMOS晶体管MN4的源极接地； 等效电流源I1的正极连接电源，负极同时连接电阻R2的第一端和线性稳压器电路的输出端VOUT，电阻R2的第二端同时接电阻R1的第一端和电容C5的第一端，电阻R4的第二端接电容C3的第一端；电容C3的第二端、电容C4的第二端、电阻R1的第二端和电容C5的第二端均接地。

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