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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种中高压线性稳压器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117148905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311135197.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种中高压线性稳压器电路是由邱旻韡;屈柯柯设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中高压线性稳压器电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种中高压线性稳压器电路，属于稳压器电路领域。本发明通过在误差放大器核心低压器件间并联齐纳管或者并联MOS器件对，调整浮地电压，确保误差放大器工作在中高压。本发明不需要额外的预降压模块，电路结构简单，节省芯片面积及功耗；由于预降压模块的电荷泵电路会显著增加输出噪声，本发明不采用预降压模块后，电路输出精度得以提高；另外本发明解决了预降压模块恶化电路压差的问题。本发明集成在LDO反馈环路中，作为反馈环路的核心器件，根据负载或者输入电源电压的变化，精确地驱动功率管保证输出电压拥有足够的输出精度。

本发明授权一种中高压线性稳压器电路在权利要求书中公布了：1.一种中高压线性稳压器电路，其特征在于，所述中高压线性稳压器电路包括NMOS管MN1~MN7、PMOS管MP1~MP5、电阻R1~R3、齐纳管D1、等效电流源I1和I2； PMOS管MP1~MP5的源端均接电源VDD，PMOS管MP1的漏端同时接NMOS管MN2的漏端和栅端，PMOS管MP1的栅端同时接PMOS管MP2的栅端和漏端；PMOS管MP4的漏端接NMOS管MN3的漏端，PMOS管MP4的栅端同时接PMOS管MP3的栅端和漏端；PMOS管MP5的栅端接PMOS管MP4的漏端，PMOS管MP5的漏端接电阻R1的第一端，电阻R1的第二端接电阻R2的第一端，电阻R2的第二端接地； NMOS管MN6的栅端和NMOS管MN7的栅端共同连接栅极电压VB1，NMOS管MN6的漏端接PMOS管MP2的漏端，NMOS管MN6的源端接NMOS管MN4的漏端，NMOS管MN7的漏端接PMOS管MP3的漏端，NMOS管MN7的源端接NMOS管MN5的漏端，NMOS管MN4的栅端连接参考电压VREF，NMOS管MN5的栅端连接在电阻R1的第二端和电阻R2的第一端之间；NMOS管MN4的源端和NMOS管MN5的源端共同连接等效电流源I2的输入端，等效电流源I2的输出端接地； NMOS管MN2的栅端和NMOS管MN3的栅端互联，NMOS管MN2的源端和NMOS管MN3的源端共同连接NMOS管MN1的漏端和等效电流源I1的输出端；NMOS管MN1的源端接等效电流源I1的输入端，NMOS管MN1的栅端连接栅极电压VB2；NMOS管MN1的漏端连接齐纳管D1的正极，齐纳管D1的负极连接电阻R3的第二端，电阻R3的第一端接电源VDD； NMOS管MN1~MN7、PMOS管MP1~MP4、电阻R3、齐纳管D1、等效电流源I1和I2构成误差放大器；PMOS管MP5为功率管；电阻R1、电阻R2为反馈电阻。

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