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龙图腾网获悉武汉芙丽雅电子科技有限公司申请的专利一种多级大面积低温等离子体射流发生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117082712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311002531.X，技术领域涉及：H05H1/26；该发明授权一种多级大面积低温等离子体射流发生装置是由郭啸龙;刘云龙设计研发完成，并于2023-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多级大面积低温等离子体射流发生装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，包括喷头外盖、基座，喷头外盖与基座相连形成气流集束腔及气流分散腔结构，气流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分散腔，气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔，基座一端设置有第一贯穿孔，基座另一端设置有不同直径的第二贯穿孔、第三贯穿孔，基座两端之间空间形成第一级气流分散腔结构，基座一端与喷头外盖之间形成有第二级气流分散腔结构，喷头外盖上部设置有第四贯穿孔，第二贯穿孔、第三贯穿孔、第四贯穿孔分别形成第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔结构，可缩小等离子体射流之间距离，产生大面积均匀弥散的低温等离子体。

本发明授权一种多级大面积低温等离子体射流发生装置在权利要求书中公布了：1.一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，包括：喷头外盖、基座，所述喷头外盖与所述基座相连形成有气流集束腔及气流分散腔结构，所述气流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分散腔，所述气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔，所述基座为中空结构，所述基座一端设置有第一贯穿孔，所述基座另一端设置有不同直径的第二贯穿孔、第三贯穿孔，所述基座两端之间空间形成所述第一级气流分散腔结构，所述基座一端与所述喷头外盖之间形成有所述第二级气流分散腔结构，所述喷头外盖上部设置有第四贯穿孔，所述第二贯穿孔、第三贯穿孔、第四贯穿孔分别形成所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔结构，所述第一贯穿孔包括可供外部高压电极插入的多个第一腔体，以及可供反应气体输入的第二腔体，所述第二腔体设置在多个所述第一腔体中部，且多个所述第一腔体呈圆周放射状排布，所述反应气体可通过所述第二腔体均匀输送至所述第一级气流集束腔中。

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