山东师范大学曹文田获国家专利权
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龙图腾网获悉山东师范大学申请的专利一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310994156.5，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法是由曹文田设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法，属于微电子、光电子和功率电子技术领域。本发明采用磁控溅射工艺在失配衬底表面制备氧化镓薄膜，制备完毕后，以≥5℃min的冷却速率将氧化镓薄膜冷却至室温，即得高霍尔迁移率的α‑Ga2O3薄膜。利用衬底和薄膜之间巨大的晶格失配和热膨胀失配造成的应力应变以及过快的冷却速率造成的抑制薄膜成核生长，保证α‑Ga2O3薄膜横截面结晶质量具有典型的三明治结构。即α‑Ga2O3衬底界面区域和α‑Ga2O3薄膜的顶部区域为部分结晶；中间为非晶。这种结构最大程度地减缓极性光学声子在薄膜内的传输，减缓极性光学声子对载流子的散射，极大提高了载流子迁移率。
本发明授权一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤： 采用磁控溅射工艺在失配衬底表面制备氧化镓薄膜，制备完毕后，以5-8℃min的冷却速率将氧化镓薄膜冷却至室温，即得高霍尔迁移率的α-Ga2O3薄膜； 所述失配包括晶格失配和热失配；所述失配衬底包括氟化钡衬底、硅衬底、蓝宝石衬底、玻璃衬底和砷化镓衬底； 所述磁控溅射工艺的参数如下： 掺杂3～7wt％SnO2的氧化镓做靶材，真空度4.0*10-4～8.0*10-4Pa，工作压力0.3～0.7Pa，溅射功率90～110W；溅射气体为氩气和氧气，制备过程中氩气和氧气流量分别为46～46.5Sccm和2～2.5Sccm；溅射生长速率为1.1～1.2μmh；沉积温度为480～520℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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