广东工业大学许雨翔获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有氮化物和氧化物的涂层及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116988022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310908275.4,技术领域涉及:C23C14/32;该发明授权一种具有氮化物和氧化物的涂层及制备方法和应用是由许雨翔;范江滔;王启民设计研发完成,并于2023-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有氮化物和氧化物的涂层及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本申请公开了一种具有氮化物和氧化物的涂层及制备方法和应用,涂层包括依次沉积所获得的TiAlN层、CrAlO层和CrAlON层。制备方法包括如下流程:S1,清洗基体;S2,在镀膜腔室中对基体表面进行原位刻蚀;S3,在基体表面利用阴极弧蒸发沉积方法制备TiAlN层;S4,在TiAlN层上利用阴极弧蒸发沉积方法制备CrAlO层;S5,在CrAlO层上利用阴极弧蒸发沉积方法制备CrAlON层。本申请所制备的涂层具有TiAlN层、CrAlO层和CrAlON层等多层结构,在基体表面沉积TiAlN层,提高涂层与基体之间的结合强度,在CrAlO层上沉积CrAlON层,从而在高温下能够快速形成致密的氧化膜,从而提升涂层的耐高温性。
本发明授权一种具有氮化物和氧化物的涂层及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种具有氮化物和氧化物的涂层的制备方法,其特征在于:包括 S1,清洗基体; S2,在镀膜腔室中对基体表面进行原位刻蚀; S3,在基体表面利用阴极弧蒸发沉积方法制备TiAlN层; S4,在TiAlN层上利用阴极弧蒸发沉积方法制备CrAlO层; S5,在CrAlO层上利用阴极弧蒸发沉积方法制备CrAlON层,通入氮气和氧气,镀膜腔室中气压为0.6至2Pa,电弧靶的靶电流密度为0.5至1.5Acm2,基体偏压为-100至-200V,沉积时间为10至40min; CrAlON层中,Al含量为10至25at%,Cr含量为10至25at%,O含量为15至30at%,N含量为15至30at%。
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