昆明物理研究所唐利斌获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116963512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310895329.8，技术领域涉及：H10K30/20；该发明授权基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法是由唐利斌;贾梦涵;才玉华;田品设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：基于PVKWO3有机‑无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种有机‑无机杂化的光电探测器，尤其是一种低温（≤150℃）制备的具有ITOPEDOT:PSSPVKWO3Al垂直结构的紫外光电探测器。光电探测器从下至上依次为玻璃衬底、ITO电极层、PEDOT:PSS空穴传输层、PVK薄膜层、WO3薄膜层和Al电极层。探测器的制备方法包括前期WO3薄膜的制备、PVK和PEDOT:PSS薄膜的旋涂工艺以及后期器件结构的设计与调控。该探测器对紫外光表现出良好的选择特性，且具有优异的器件性能。
本发明授权基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于PEDOT:PSSPVKWO3有机-无机异质结的紫外光电探测器，其特征在于该探测器从下至上分别为玻璃衬底、ITO电极层、PEDOT:PSS空穴传输层、PVK薄膜层、WO3薄膜层和Al电极层； 所述PEDOT:PSS空穴传输层厚度为43nm； 所述PVK薄膜层厚度为65nm； 所述WO3薄膜层厚度为120nm。
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