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龙图腾网获悉重庆吉芯科技有限公司申请的专利曲率校正带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116860059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310754656.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权曲率校正带隙基准电路是由王翊舟;刘璐;倪亚波;彭嘉豪;马乾设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本曲率校正带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种曲率校正带隙基准电路，所述曲率校正带隙基准电路包括带隙基准模块、低温曲率校正模块及高温曲率校正模块，在带隙基准模块通过正温度系数电压和负温度系数电压的叠加产生带隙基准电压的基础上，通过低温曲率校正模块对正温度系数电压进行补偿调节，能校正带隙基准电压的低温曲率，通过高温曲率校正模块对正温度系数电压进行补偿调节，能校正带隙基准电压的高温曲率，能进一步降低带隙基准电压的温漂系数，提升了带隙基准电压的温度稳定性；引入调节电阻来平衡低温和高温的曲率校正补偿程度，进一步提高了性能；同时，本发明所提出的曲率校正带隙基准电路可应用于较低的电源电压环境中，适用于28nm及以下的先进CMOS工艺。

本发明授权曲率校正带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种曲率校正带隙基准电路，其特征在于，包括： 带隙基准模块，通过正温度系数电压和负温度系数电压的叠加，产生并输出带隙基准电压；所述带隙基准模块包括带隙基准单元、输出驱动单元及频率补偿单元，所述带隙基准单元产生并输出所述带隙基准电压，所述输出驱动单元与所述带隙基准单元连接，所述输出驱动单元为所述带隙基准单元提供驱动电流，所述频率补偿单元与所述带隙基准单元连接，所述频率补偿单元对所述带隙基准单元的输出频率进行补偿调节；所述带隙基准单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一NPN三极管、第二NPN三极管及运算放大器，所述第一NPN三极管的发射极经依次串接的所述第一电阻及所述第二电阻后接地，所述第一NPN三极管的集电极经串接的所述第三电阻后接所述第一NPN三极管的基极，所述第二NPN三极管的发射极接所述第一电阻与所述第二电阻的公共端，所述第二NPN三极管的集电极经串接的所述第四电阻后接所述第一NPN三极管的基极，所述第二NPN三极管的基极接所述第一NPN三极管的基极，所述运算放大器的同相输入端接所述第一NPN三极管的集电极，所述运算放大器的反相输入端接所述第二NPN三极管的集电极，所述第一NPN三极管的基极输出所述带隙基准电压； 低温曲率校正模块，与所述带隙基准模块连接，对所述正温度系数电压进行补偿调节，以校正所述带隙基准电压的低温曲率；所述低温曲率校正模块包括第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻及第三NPN三极管，所述第一NPN三极管的基极经依次串接的所述第七电阻及所述第八电阻后接地，所述第三NPN三极管的集电极经串接的所述第九电阻后接所述第一NPN三极管的基极，所述第三NPN三极管的集电极还接所述第一NPN三极管的发射极，所述第三NPN三极管的基极接所述第七电阻与所述第八电阻的公共端，所述第三NPN三极管的发射极经串接的所述第十电阻后接地； 高温曲率校正模块，与所述带隙基准模块连接，对所述正温度系数电压进行补偿调节，以校正所述带隙基准电压的高温曲率；所述高温曲率曲率校正模块包括第四NPN三极管及第五NPN三极管，所述第四NPN三极管的集电极接所述第一NPN三极管的集电极，所述第四NPN三极管的发射极接所述第一NPN三极管的基极，所述第四NPN三极管的基极接所述第四NPN三极管的发射极，所述第五NPN三极管的集电极接所述第二NPN三极管的集电极，所述第五NPN三极管的发射极接所述第一NPN三极管的基极，所述第五NPN三极管的基极接所述第五NPN三极管的发射极。

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