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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116768146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310727356.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法是由刘瑛;刘冠军;邱静;吕克洪;杨鹏;张勇;郭斯琳设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法，该方法的所有步骤与当前CMOS工艺完全兼容，在无需额外定制设备的基础上，可实现悬空二维材料结构的大规模流片制备以及成本削减；在方法实施过程中，二维材料全程被高分子支撑材料支撑和保护，有效避免实施过程中二维材料的破损。

本发明授权一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种悬空异质薄膜的图形化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：取合适尺寸生长有单层或少层二维材料的基底； S2：将所述基底固定于合适支撑平台上，将支撑平台固定于匀胶机上； S3：在所述基底的二维材料上旋涂一层高分子支撑材料； S4：取下基底，去除基底的边缘； S5：将基底置于基底刻蚀溶液中，刻蚀去除生长二维材料的基底，获得漂浮在刻蚀液表面的复合异质薄膜； S6：清洗所述复合异质薄膜，去除复合异质薄膜中二维材料表面的有机污染物和金属污染物； S7：用预先制备的带空腔基底从去离子水中捞取复合异质薄膜，并将捞取了复合异质薄膜的带空腔基底倾斜静置，自然去水干燥； S8：对干燥后的捞取了复合异质薄膜的带空腔基底进行加热处理，得到薄膜样品； S9：在薄膜样品表面依次旋涂一层LOR层、一层与LOR兼容的常规光刻胶层； S10：曝光待刻蚀的薄膜样品图形，将薄膜样品浸入所述常规光刻胶的显影液中显影暴露待刻蚀区域； S11：根据所述二维材料的类型，选用对应的等离子体，利用所述等离子体对薄膜样品的待刻蚀区域进行刻蚀； S12：再次将薄膜样品浸入所述常规光刻胶的显影液中，溶解LOR层； S13：待LOR层溶解完毕后，轻轻晃动样品以使原LOR层上的常规光刻胶层完全剥离，释放图形化后的复合异质薄膜； S14：将图形化后的复合异质薄膜转移至去离子水中清洗，再转移至低表面张力溶液中清洗并取出，氮气吹干，得到图形化薄膜。

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