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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116789073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310614318.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺是由董林玺;胡梦宜;俞挺;刘超然;杨伟煌设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺。本发明包括MEMS器件层以及键合于MEMS器件层下方的衬底；所述MEMS器件层包括凸台、锚点、锚区、中心板、四根位于中心板四周的L型压电驱动梁和十二个pad；所述衬底包括键合区域、空腔、导电衬垫和八个固定金属电极。本发明为敏感元件增加驱动模块与多电容检测模块，从而保证测量结果的准确性并节省额外的校准成本，本发明在实现自校准的同时，采用三维集成的方式，直接利用SOI的圆片做外部封装。

本发明授权可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.可自校准的SOI基MEMS三维力传感器，其特征在于：包括MEMS器件层以及键合于MEMS器件层下方的衬底； 所述MEMS器件层包括凸台、锚点、锚区、中心板、四根位于中心板四周的L型压电驱动梁和十二个pad； 所述凸台位于所述锚点上方，用作三维力检测时的受力结构； 所述中心板和所述锚区均位于锚点下方，且在同一平面上；中心板用作电容检测的可动上极板，通过锚点与凸台连接； 单根所述L型压电驱动梁自上而下包括L型硅梁、驱动下电极Pt、压电材料PZT以及两个分布式驱动上电极Pt，L型压电驱动梁的一端固定在中心板边界的中心位置，另一端固定在锚区；其余部分均悬空；所述的两个分布式驱动上电极Pt用于施加等大反向的电压，直接为三维力传感器内部的敏感元件提供驱动激励； 所述十二个pad位于MEMS器件层锚区的四周，与压电驱动梁的分布式驱动上电极Pt在同一平面； 所述衬底包括键合区域、空腔、导电衬垫和八个固定金属电极； 所述键合区域与MEMS器件层的锚区图案一致，翻转的MEMS器件层的锚区与其下方衬底的键合区域对准接触，形成电容传感的密闭空间； 所述空腔用于形成压电驱动梁和中心板的活动空间； 所述八个固定金属电极分布于空腔内，中心板作为电容检测的共用可动上极板，与衬底空腔内的八个固定金属电极形成电容对，其中中心板的对角线区域对应衬底上四个固定金属电极A、B、C、D，形成力检测电容CA、CB、CC、CD；中心板的对称轴区域对应衬底上十字分布的固定金属电极E、F、G、H，形成自校准检测电容CE、CF、CG、CH。

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