上海辉纳思光电科技有限公司郭世艳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海辉纳思光电科技有限公司申请的专利含有卤素的空穴传输材料、应用及钙钛矿电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116574130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310536323.1，技术领域涉及：C07F9/38；该发明授权含有卤素的空穴传输材料、应用及钙钛矿电池是由郭世艳;吴永真;黄锦海设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本含有卤素的空穴传输材料、应用及钙钛矿电池在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能产业技术领域，具体涉及一种含有卤素的空穴传输材料及其作为有机空穴传输材料的应用。本发明设计了一种氰基乙酸或氰基磷酸为锚定基团，通过自组装单分子层策略，在分子结构中引入卤素，从而得到一种新型的含有卤素的空穴传输材料，目的是解决现有的具有锚定基团的有机小分子空穴传输材料面临着稳定性较差以及器件性能不佳等技术问题问题。此外，本发明还涉及采用前述有机空穴传输材料制备的一种钙钛矿电池和一种柔性钙钛矿电池。本发明的有益效果在于：材料中卤素原子的引入，能够提升钙钛矿电池和一种柔性钙钛矿电池的稳定性，延长其使用寿命。
本发明授权含有卤素的空穴传输材料、应用及钙钛矿电池在权利要求书中公布了：1.一种含有卤素的空穴传输材料，具有如下式I所示的化学通式： 式中，R1-R8独立地表示为氢、卤素、甲基、苯基、甲氧基、三氟甲氧基、叔丁基、氰基；且R1-R8中至少有一个卤素； R9表示为氢； R10表示为磷酸基； L表示为C6的亚芳基； A表示为空、单键、氧、硫。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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