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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310431333.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法是由黄森;蒋其梦;戴心玥;王鑫华;刘新宇设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源极与氮化镓调控层。

本发明授权折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管，包括： 基础层，包括在衬底上按自下而上的顺序依次形成的氮化物缓冲层以及氮化镓半绝缘层，所述氮化镓半绝缘层上表面形成包括至少一个平行延伸的沟槽的沟道区； 多异质结层，覆盖包括沟槽在内的沟道区，包括在所述氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层，相邻的所述势垒层和所述沟道层之间形成异质结； 氮化镓调控层，在所述多异质结层上从所述沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽，以调控所述场效应晶体管在开启与关闭状态下对应的沟道区内的电荷平衡； 电流坍塌抑制结构，在所述多异质结层上形成于所述沟道区的另一侧，并与所述氮化镓调控层通过另一部分所述沟槽隔开；其中，所述电流坍塌抑制结构适用于在漏极电压较高时，对所述漏极提供空穴注入，实现所述漏极上的电荷平衡； 源极和漏极，在所述氮化镓半绝缘层上分别与所述多异质结层的两侧接触，所述漏极与所述电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触； 栅极，形成于所述源极与所述氮化镓调控层之间的所述多异质结层上； 连接结构，穿过所述栅极的上方电连接所述源极与所述氮化镓调控层； 其中，所述氮化镓调控层、和所述电流坍塌抑制结构均包括按自下向上堆叠的轻掺杂P型氮化镓层和重掺杂P型氮化镓层。

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