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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种应用于LDO的缓启动电路及LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116449904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310435466.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于LDO的缓启动电路及LDO电路是由闫兆文;姚和平;苏海伟设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于LDO的缓启动电路及LDO电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于LDO的缓启动电路及LDO电路，属于集成电路技术领域，包括：储能元件；反馈支路，连接于偏置电源和第一节点之间，反馈支路的控制端连接第一节点；偏置电源和接地端之间设有：充电支路、放大级支路和缓冲级支路以及开关控制电路，充电支路的控制端连接第一节点；缓冲级支路的控制端连接放大级支路的输出，缓冲级支路的输出端连接一功率调整管的栅极；开关控制电路包括：开关支路，连接于第二节点和接地端之间，第二节点连接放大级支路的控制端；控制支路，连接于偏置电源和第二节点之间，控制支路的控制端连接第一节点。有益效果：本发明在实现LDO快速上电的同时，可有效解决LDO电压上电瞬间过冲的问题。

本发明授权一种应用于LDO的缓启动电路及LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于LDO的缓启动电路，其特征在于，包括： 一功率调整管，所述功率调整管的源极和漏极连接于一输入端和一输出端之间； 一储能元件，连接于一第一节点和接地端之间； 一反馈支路，连接于一偏置电源和所述第一节点之间，所述反馈支路的控制端连接所述第一节点，形成一正反馈环路； 所述偏置电源和所述接地端之间设有： 一充电支路，所述充电支路的控制端连接所述第一节点，用以控制所述充电支路对所述储能元件充电； 一放大级支路和一缓冲级支路，所述缓冲级支路的控制端连接所述放大级支路的输出，所述缓冲级支路的输出端连接一功率调整管的栅极； 一开关控制电路，包括：一开关支路，连接于一第二节点和所述接地端之间，所述第二节点连接所述放大级支路的控制端，用以控制所述放大级支路开启或关闭；一控制支路，连接于所述偏置电源和所述第二节点之间，所述控制支路的控制端连接所述第一节点，用以根据所述第一节点的电压控制所述控制支路的通断，进而控制所述第二节点的电压； 所述反馈支路包括： 一第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极接所述偏置电源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一节点，所述第一PMOS管的漏极连接一第一反相器的输入端； 一第二MOS管，所述第二MOS管的一端接所述偏置电源，所述第二MOS管的栅极连接一第二反相器的输出端，所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端，所述第二MOS管的另一端连接所述第一节点，加速所述控制支路的控制端电压变高； 一电流比较电路，用以将流经第一PMOS管的电流与一电流镜电路产生的参考电流进行比较，将比较结果输出至所述第一反相器的输入端。

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