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东南大学刘聃睿获国家专利权

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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种同极非对称磁路型永磁记忆电机获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116388425B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310359742.2,技术领域涉及:H02K1/276;该发明授权一种同极非对称磁路型永磁记忆电机是由刘聃睿;阳辉;安淇楚;郭锡瑾;卢昱安设计研发完成,并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种同极非对称磁路型永磁记忆电机在说明书摘要公布了:本发明公开了一种同极非对称磁路型永磁记忆电机,涉及永磁记忆电机技术领域。本发明包括:定子,所述定子上安装有电枢绕组:混合永磁转子,所述混合永磁转子转动连接在所述定子的内侧,所述混合永磁转子包括转子铁心,所述转子铁心上安装有多个磁极组件,且多个磁极组件呈周向均匀布设,所述磁极组件包括呈不同磁路布设的第一混合永磁单元和呈串联磁路的第二混合永磁单元,所述第一混合永磁单元与第二混合永磁单元之间形成开口向外的夹角,且第一混合永磁单元与第二混合永磁单元交替布设在所述转子铁心的外侧。本发明通过结合串并联磁路的优势,在简化转子结构的同时进一步拓宽电机调磁范围,同时保证负载运行时永磁工作点稳定。

本发明授权一种同极非对称磁路型永磁记忆电机在权利要求书中公布了:1.一种同极非对称磁路型永磁记忆电机,包括; 定子1,所述定子1上安装有电枢绕组2: 混合永磁转子3,所述混合永磁转子3转动连接在所述定子1的内侧,所述混合永磁转子3包括转子铁心31,所述转子铁心31上安装有多个磁极组件,且多个磁极组件呈周向均匀布设; 所述磁极组件包括呈并联磁路布设的第一混合永磁单元和呈串联磁路的第二混合永磁单元,所述第一混合永磁单元与第二混合永磁单元之间形成开口向外的夹角,且第一混合永磁单元与第二混合永磁单元交替布设在所述转子铁心31的外侧; 第一混合永磁单元包括第一永磁体32和第二永磁体33,第一永磁体32与第二永磁体33之间形成并联磁路; 第二混合永磁单元包括第三永磁体34和第四永磁体35,第三永磁体34与第四永磁体35之间形成串联磁路; 所述第一混合永磁单元与第二混合永磁单元数量相等,且第一混合永磁单元与第二混合永磁单元分别构成同一磁极组件的N极和S极; 同一所述磁极组件中,所述第一永磁体32和第二永磁体33均沿切向充磁,第三永磁体34和第四永磁体35均沿切向充磁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东南大学,其通讯地址为:210096 江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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