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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310093933.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件是由顾彦国;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;苏海伟设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件，涉及半导体技术领域，器件包括：第一导电类型的半导体材料、场氧化层、第二导电类型的第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区、每一场氧化层的两侧形成的侧墙结构、第一导电类型的第一至第三重掺杂注入区、介质层、接触孔、第二导电类型的第四重掺杂区和第五重掺杂区的光刻、金属连线。本发明通过采用自对准工艺或半自对准工艺作业，提高双向可控硅器件对FAB硅片设备的精度容宽，降低设备的能力需求，且减少一定的层次，使其具有较低的触发电压、相同的器件参数，同时优化生产工艺的难度和成本。

本发明授权一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件在权利要求书中公布了：1.一种双向可控硅器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，提供一第一导电类型的半导体材料，并于所述半导体材料的上表面生长一场氧化层，于所述场氧化层中光刻定义一显示区域； 步骤S2，以所述场氧化层作为阻挡，于所述显示区域对应的所述半导体材料中形成第二导电类型的第一阱区和第二阱区，进行高温推进；然后于所述第一阱区中形成所述第二导电类型的第三阱区，于所述第二阱区内形成所述第二导电类型的第四阱区，再次进行高温推进； 步骤S3，于光刻后的每一所述场氧化层的两侧分别形成一侧墙结构，以所述侧墙结构作为自对准，形成所述第一导电类型的第一至第三重掺杂注入区，第一重掺杂注入区形成于所述第三阱区内，第二重掺杂注入区形成于所述第四阱区内，第三重掺杂注入区形成于所述半导体材料中且位于所述第一阱区和所述第二阱区之间； 步骤S4，进行介质层的淀积，并于所述介质层中进行接触孔和所述第二导电类型的第四至第五重掺杂区的光刻，所述接触孔自上而下地分别穿通所述第一重掺杂注入区和所述第二重掺杂注入区，然后于所述第三阱区内形成第四重掺杂区，于所述第四阱区内形成第五重掺杂区，进入炉管进行退火； 步骤S5，于所述介质层上表面及所述接触孔中进行金属沉积，并形成金属连线，以使所述第一重掺杂注入区和所述第四重掺杂区相连接并引出作为所述器件的第一端口，所述第二重掺杂注入区和所述第五重掺杂区相连接并引出作为所述器件的第二端口。

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