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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种静电保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310052603.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电保护器件及其制备方法是由蒋骞苑;赵德益;顾彦国;吕海凤;张啸;郝壮壮;胡亚莉;苏海伟设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种静电保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种静电保护器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件包括：衬底、外延层、埋层、依次邻接的第一至第五阱区、至少两个轻掺杂注入区、重阱区、第一至第七注入区、介质层、金属层，第一阱区和第五阱区的底部与衬底、埋层同时接触；第二至第四阱区的底部与埋层接触。本发明所提供的静电保护器件具有较低的触发电压和击穿电压，更强的通流能力，较高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，且同时不会增加静电保护器件的面积。

本发明授权一种静电保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，提供一第一导电类型的衬底，以及位于所述衬底上的外延层，其特征在于，包括： 第二导电类型的埋层，形成于所述衬底的预定区域，且所述埋层向上扩散至所述外延层中； 至少五个阱区，依次邻接形成于所述外延层中，包括第一导电类型的第一阱区、第三阱区以及第五阱区，所述第一阱区和所述第五阱区的底部与所述衬底的上表面、所述外延层中的所述埋层同时相接触；第二导电类型的第二阱区和第四阱区，所述第二阱区、所述第三阱区以及所述第四阱区的底部与所述埋层相接触； 至少两个第二导电类型的轻掺杂注入区，形成于所述第三阱区内，包括第一轻掺杂注入区和第二轻掺杂注入区； 第一导电类型的重阱区，形成于所述第一轻掺杂注入区和所述第二轻掺杂注入区之间； 多个重掺杂注入区，包括第二导电类型的第一至第五注入区，第一注入区形成于所述第二阱区内，第二注入区形成于所述第一轻掺杂注入区内，第三注入区形成于所述重阱区内，第四注入区形成于所述第二轻掺杂注入区内，第五注入区形成于所述第四阱区内；第一导电类型的第六注入区和第七注入区，形成于所述第三阱区内； 介质层，形成于所述外延层的上方，所述介质层中设有对应第一至第七注入区的接触孔； 金属层，包括第一接地端金属层，分别连接所述第一注入区、所述第六注入区、所述第二注入区；IO端金属层，连接所述第三注入区；第二接地端金属层，分别连接所述第四注入区、所述第七注入区、所述第五注入区。

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