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龙图腾网获悉芯百特微电子(无锡)有限公司申请的专利一种可控温度系数的电压偏置产生电路及射频功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115993868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310079559.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种可控温度系数的电压偏置产生电路及射频功率放大器是由许育森;张海涛;张泽洲设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可控温度系数的电压偏置产生电路及射频功率放大器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可控温度系数的电压偏置产生电路及射频功率放大器,包括：放大单元和反馈单元，反馈单元将放大单元的输出端的偏置电压反馈给放大单元的正输入端，放大单元的负输入端接入基准电压，反馈单元还连接电流温控单元，电流温控单元向反馈单元提供可控温度系数的调节电流，改变反馈单元向放大单元输入的反馈电压，进而使放大单元输出温度系数可控的偏置电压。实施本发明的可控温度系数的电压偏置产生电路，具有以下有益效果：在稳定输出偏置电压Vreg的基础上，通过提供可控温度系数的调节电流，使输出的偏置电压Vreg的温度系数可控，从而使得射频功率放大电路的偏置电压Vreg能够更精细精密的控制，提高射频功率放大电路的高线性、高效率工作。

本发明授权一种可控温度系数的电压偏置产生电路及射频功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种可控温度系数的电压偏置产生电路，包括：放大单元和反馈单元，所述反馈单元将所述放大单元的输出端的偏置电压反馈给所述放大单元的正输入端，所述放大单元的负输入端接入基准电压， 其特征在于，所述反馈单元还连接电流温控单元，所述电流温控单元向反馈单元提供可控温度系数的调节电流，改变所述反馈单元向所述放大单元输入的反馈电压，进而使所述放大单元输出温度系数可控的偏置电压； 所述电流温控单元包括：第一电流减法电路、第二电流减法电路、第一比例放大电路、第二比例放大电路和电流加法电路； 所述第一电流减法电路的第一输入端和第二输入端分别接入电流源Ip和电流源Iz1，所述第一电流减法电路的输出信号经过第一比例放大电路放大后输入所述电流加法电路； 所述第二电流减法电路的第一输入端和第二输入端分别接入电流源Iz2和所述电流源Ip，所述第二电流减法电路的输出信号经过第二比例放大电路放大后输入所述电流加法电路； 所述电流加法电路的输入端还接入电流源Iz3，所述电流加法电路的输出端连接电阻R3的第二端和电阻R2的第一端； 所述第一电流减法电路包括：mos管m1a、mos管m2a、mos管m3a、mos管m4a、mos管m5a和mos管m6a； 所述mos管m1a的栅漏短接并连接所述电流源Ip，所述mos管m1a的源极接地； 所述mos管m2a与所述mos管m1a共栅连接，所述mos管m2a与所述mos管m3a共漏连接并连接所述第一比例放大电路的输入端，所述mos管m2a的源极接地； 所述mos管m3a与所述mos管m4a共源连接并接入系统电源，所述mos管m3a与所述mos管m4a共栅连接，所述mos管m4a栅漏短接； 所述mos管m4a和所述mos管m5a共漏连接，所述mos管m5a和所述mos管m6a共栅连接，所述mos管m5a的源极接地； 所述mos管m6a的栅漏短接并接入所述电流源Iz1，所述mos管m6a的源极接地； 电流源Ip为原始正温度系数的电流，电流源Iz1、Iz2和Iz3分别为三个零温度系数的电流。

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