南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司芦红获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司申请的专利一种超快光电导结构和光电导天线器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211591380.1，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种超快光电导结构和光电导天线器件是由芦红;张微微;姚金山;李晨;卢守国设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超快光电导结构和光电导天线器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
本发明授权一种超快光电导结构和光电导天线器件在权利要求书中公布了：1.一种超快光电导结构，其特征在于，包含半导体衬底和超晶格光电导层，所述超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层，所述光吸收层为InxGa1-xAs0≤x≤1半导体层，所述载流子扩散阻挡层为掺杂稀土元素的InyAl1-yAs0≤y≤1或AlAs1- zSbz0≤z≤1半导体层，所述载流子扩散阻挡层的掺杂方式为共沉积，掺杂浓度为1x1015-5x1021cm-3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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