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龙图腾网获悉西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院申请的专利一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211501312.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路是由廖栩锋;仵少飞;杜建华;吴海沁;郭宇晨;刘帘曦设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路，包括电流复制电路以及反馈提升电路；电流复制电路包括三条支路，三条支路使用电流镜复制电流，从而产生成比例的电流；反馈提升电路与所述电流复制电路的三条支路连接，用于增大反馈系数，使得运算放大器输入端的低频噪声和失调等效到运算放大器输出端时被减小为反馈系数的倒数倍，降低了第一和第二支路的电流扰动，从而削弱了运算放大器的失调和低频噪声对基准源输出的影响。本发明改变了传统电流模基准电压源的电路结构，增大了反馈网络的反馈系数，使得运算放大器的输入失调和低频噪声等效到其输出端时被衰减，从而提高了基准源的输出精度。

本发明授权一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路在权利要求书中公布了：1.一种基于三支路电流模基准电压源的反馈提升电路，其特征在于，包括：电流复制电路以及反馈提升电路； 所述电流复制电路包括三个支路，第一支路为PTAT电流产生支路，第二支路为CTAT电流产生支路，第三支路为基准电压源输出支路；三条支路使用电流镜复制电流，产生成比例的电流； 所述反馈提升电路与所述电流复制电路的三条支路连接，用于增大反馈系数，使得运算放大器输入端的低频噪声和失调等效到运算放大器输出端时被减小为反馈系数的倒数倍，降低了第一和第二支路的电流扰动，从而削弱了运算放大器的失调和低频噪声对基准源输出的影响； 所述PTAT电流产生支路包括PMOS管M1，所述CTAT电流产生支路包括PMOS管M2，所述基准电压源输出支路包括PMOS管M3、电阻R5； 其中，PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的栅极、PMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极、PMOS管M3的源极均接电源VDD；PMOS管M1的漏极接所述反馈提升电路的第一连接端，PMOS管M2的漏极连接所述反馈提升电路的第二连接端，PMOS管M3的漏极与电阻R5的高电位端相连接，电阻R5的另一端连接所述反馈提升电路的第三连接端；电阻R5的高电位端为基准电压源输出支路的输出端，用于输出基准电压； 所述反馈提升电路包括：NPN管Q1、NPN管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4以及运算放大器OP； 其中，NPN管Q1的集电极接电阻R1的低电位端，电阻R4的高电位端和电阻R1的高电位端相连接，NPN管Q1的基极、电阻R2的低电位端接NPN管Q2的集电极，NPN管Q2的基极、电阻R3的高电位端和电阻R2的高电位端相连接，NPN管Q1的发射极、NPN管Q2的发射极、电阻R3的低电位端、电阻R4的低电位端均接地；运算放大器OP输出端连接PMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极之间，所述运算放大器OP的两个输入端以两种连接方式连接电阻R2和电阻R1的一端。

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