天津巴莫科技有限责任公司陈德贤获国家专利权
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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利包覆型正极材料及其制备方法、二次电池和正极、用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211480985.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权包覆型正极材料及其制备方法、二次电池和正极、用电装置是由陈德贤;李琪;李逸豪;王慧敏;刘美景;吕菲设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本包覆型正极材料及其制备方法、二次电池和正极、用电装置在说明书摘要公布了：本申请涉电池电极材料技术领域，具体涉及一种包覆型正极材料、其制备方法、电池正极、二次电池和用电装置，该包覆型正极材料包括正极材料基体，位于正极材料基体表面的共沉淀层以及位于共沉淀层表面的钝化层，基体包括与共沉淀层邻接的掺杂层，掺杂层的厚度≤50nm，共沉淀层的组成成分包括过渡金属磷酸盐和过渡金属氧化物。本申请的制备方法快速高效，制得的包覆型正极材料可用于制备二次电池，提高电池的循环稳定性和倍率性能。
本发明授权包覆型正极材料及其制备方法、二次电池和正极、用电装置在权利要求书中公布了：1.一种包覆型正极材料，其特征在于，包括正极材料基体，位于所述正极材料基体表面的共沉淀层以及位于所述共沉淀层表面的钝化层； 其中，所述基体包括与所述共沉淀层邻接的掺杂层，所述掺杂层的厚度≤50nm； 所述共沉淀层的组成成分包括过渡金属磷酸盐和过渡金属氧化物；所述过渡金属磷酸盐的分子式为M1aN1bPO43，其中，M1和N1不同且独立地选自铝、锗、镓或铈；0≤a＜3，0≤b＜4，a和b不同时为0；所述过渡金属氧化物的分子式为M2cN2dO2，M2和N2不同且独立地选自铝、锗、镓或铈；0≤c＜3，0≤d＜4，c和d不同时为0； 所述掺杂层是共沉淀层的组成成分向正极材料基体表面发生渗透而形成的衍生结构；所述掺杂层具有微支撑结构； 在所述包覆型正极材料的XRD图谱中，003面与104面之间的衍射峰强度比I003I104满足1.40＜I003I104≤1.60； 所述包覆型正极材料的晶格参数c满足以下关系：
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