广州华星光电半导体显示技术有限公司周世新获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利微型发光二极管器件、制作方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211427846.4，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权微型发光二极管器件、制作方法和显示装置是由周世新设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管器件、制作方法和显示装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种微型发光二极管器件、制作方法和显示装置。其中，微型发光二极管器件包括背板；多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管阵列设置在所述背板上，每个所述微型发光二极管包括靠近所述背板的底壁、远离所述背板的顶壁以及连接所述底壁和所述顶壁的侧壁；保护层，所述保护层设置在每个所述微型发光二极管的部分侧壁上以减小所述侧壁漏电流，所述保护层由可原位交联的硫辛酸凝胶层原位聚合形成。本申请实施例通过可原位交联的硫辛酸凝胶层的第二层空间作用力，在配位键的作用下，使得该保护层与GaN之间存在更低的界面陷阱密度，进而可以解决微型发光二极管器件边缘存在漏电流的问题。
本发明授权微型发光二极管器件、制作方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件包括： 背板； 多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管阵列设置在所述背板上，每个所述微型发光二极管包括靠近所述背板的底壁、远离所述背板的顶壁以及连接所述底壁和所述顶壁的侧壁； 保护层，所述保护层设置在每个所述微型发光二极管的氮化镓侧壁上，所述保护层由可原位交联的硫辛酸凝胶层原位聚合形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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