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龙图腾网获悉南京元感微电子有限公司申请的专利一种FET阵列气敏传感器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115656277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211372287.1，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种FET阵列气敏传感器及其加工方法是由任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FET阵列气敏传感器及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气敏传感器技术领域，公开一种FET阵列气敏传感器及其加工方法。其中FET阵列气敏传感器包括：衬底，设有隔热腔室；绝缘层，位于隔热腔室的一端；硅岛，位于绝缘层的第一侧面上；FET加热阵列，包括若干个FET加热单元，每个FET加热单元均包括感应电极组和若干个掺杂极，掺杂极分为源极和漏极；若干个气敏层，每个气敏层均覆盖在一个感应电极组上。本发明公开的FET阵列气敏传感器，能够在相同的电流下将至少两个气敏层均匀地加热至不同的温度，增加了敏感气体浓度检测的准确性，能够实现多种气体的识别，提升了FET阵列气敏传感器的应用空间，降低了气敏层出现裂纹的概率，有利于FET阵列气敏传感器的批量化生产。

本发明授权一种FET阵列气敏传感器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种FET阵列气敏传感器，其特征在于，包括： 衬底，其上设有隔热腔室； 绝缘层，位于所述隔热腔室的一端且固定在所述衬底上； 硅岛，位于所述绝缘层的第一侧面上且位于所述隔热腔室内； FET加热阵列，包括若干个FET加热单元，每个所述FET加热单元均包括感应电极组和若干个掺杂极，所述掺杂极分为源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔排布在所述硅岛内且与所述第一侧面接触，所述感应电极组设置在所述绝缘层的第二侧面上或者所述绝缘层内，所述第二侧面与所述第一侧面正对设置，所述源极和所述漏极导通时能够产生热量，沿每个所述FET加热单元的边缘至中心的方向，所述掺杂极的横截面积逐渐减小，每个所述FET加热单元的所述掺杂极的深度均相同，沿每个所述FET加热单元的边缘至中心的方向，所述掺杂极的宽度逐渐减小； 若干个气敏层，每个所述气敏层均覆盖在一个所述感应电极组上或者覆盖在正对所述感应电极组的所述绝缘层上，至少两个所述FET加热单元通入相同的电流时能够在相同时长内分别将对应的所述气敏层加热至不同的温度。

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