上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司庞家玉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211289122.8，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质是由庞家玉;卢意飞设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，该方法包括：确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流；根据所述源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型；根据预设初始场效应管器件模型和所述子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。该技术方案得到的目标场效应管器件模型更加精确，能够提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
本发明授权场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种场效应管器件模型的生成方法，其特征在于，包括： 确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流； 根据所述源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型； 根据预设初始场效应管器件模型和所述子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型； 其中，还包括如下步骤： 确定场效应管器件的源体结正向电流和漏体结正向电流，所述源体结正向电流为所述场效应管器件的源极对体端的电流，所述漏体结正向电流为所述场效应管器件的漏极对所述体端的电流； 根据所述源体结正向电流和漏体结正向电流，构建得到所述预设初始场效应管器件模型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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