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龙图腾网获悉福州大学申请的专利制备垂直型场效应晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211270629.9，技术领域涉及：H01L21/363；该发明授权制备垂直型场效应晶体管的方法是由李调阳;庄毅;梅佳旺;王博设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备垂直型场效应晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备长程有序高深宽比结构及垂直型场效应晶体管的方法。该方法主要步骤有：利用丙酮、异丙醇、去离子水对长程有序多孔氧化铝模板进行清洗，利用原子层沉积技术可三维共形沉积的特点来沉积绝缘氧化物薄膜，通过设置循环数精确控制薄膜厚度，从而获得大于200:1的长程有序超高深宽比结构，此方法无需用到刻蚀技术，工艺简单，成本低。同时，基于原子层沉积技术在超高深宽比结构上沉积氧化物半导体薄膜将孔隙填充，通过刻蚀除去表面沉积的氧化物半导体薄膜，再使用物理气相沉积系统沉积一层金属层，之后采用半导体器件工艺，最终可用于制备垂直型场效应晶体管。

本发明授权制备垂直型场效应晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备垂直型场效应晶体管的方法，其特征在于，采用原子层沉积系统在多孔氧化铝膜上覆盖一层绝缘氧化物薄膜制备高深宽比结构，然后基于高深宽比结构制备垂直型场效应晶体管，具体步骤如下： 步骤1、对长程有序多孔氧化铝膜进行清洗，即依次使用包括丙酮、异丙醇、去离子水、氮气吹扫的步骤对多孔氧化铝膜进行清洗； 步骤2、将清洗完的多孔氧化铝膜放入原子层沉积系统中沉积绝缘氧化物薄膜，利用原子层沉积三维共形沉积特点，通过精确控制薄膜厚度，制备高深宽比结构； 步骤3、将制备完的高深宽比结构放入原子层沉积系统中沉积氧化物半导体薄膜将孔隙填充，并通过电感耦合等离子体干法刻蚀去除表面多余的氧化物半导体薄膜； 步骤4、在步骤3处理后的样品表面利用物理气相沉积系统蒸镀一层金属层作为源极； 步骤5、将步骤4处理后的样品放入氢氧化钠溶液中去除多孔氧化铝的背面氧化铝，后放入氯化铜和盐酸溶液中去除多孔氧化铝的铝衬底，最后将样品放入氢氧化钠溶液中去除多孔氧化铝； 步骤6、旋涂光刻胶并用电子束曝光将栅极图案化，使用物理气相沉积蒸镀金属部分填充，之后将多余金属剥离形成栅极； 步骤7、利用原子层沉积系统沉积绝缘氧化物薄膜将孔隙填充满，并用电感耦合等离子体干法刻蚀去除表面绝缘氧化物薄膜，直至氧化物半导体薄膜呈现，之后使用化学机械抛光平坦化； 步骤8、利用物理气相沉积蒸镀金属层作为漏极。

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