甬矽电子(宁波)股份有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利扇入型封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211254717.X，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权扇入型封装结构及其制备方法是由何正鸿;张超;何林;高源;王承杰设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇入型封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种扇入型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，扇入型封装结构包括基底芯片、结构载板、堆叠芯片、布线介质层、连接布线层、拓展布线层、介质组合层和锡球，拓展布线层与基底芯片错位设置。相较于现有技术，本发明通过容置凹槽贴装堆叠芯片的方式完成了芯片的堆叠封装，提升了芯片封装的集成度，并且容置凹槽的设置也降低了封装高度，有利于芯片的小型化。此外，通过在结构载板上方布置连接布线层和拓展布线层，拓展布线层可以的增加线路层的集成度，能够大幅提升封装的IO端锡球的数目，提升布线密集度以及布线面积，提升了产品性能。
本发明授权扇入型封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇入型封装结构，其特征在于，包括： 基底芯片； 设置在所述基底芯片一侧的结构载板，所述结构载板上设置有容置凹槽； 贴装在所述容置凹槽中的堆叠芯片； 设置在所述结构载板远离所述基底芯片一侧的布线介质层； 设置在所述布线介质层中的连接布线层和拓展布线层； 设置在所述布线介质层远离所述基底芯片一侧的介质组合层； 以及，设置在所述介质组合层上的锡球； 其中，所述连接布线层同时与所述基底芯片和所述堆叠芯片电连接，且所述堆叠芯片和所述基底芯片对应设置，所述连接布线层和所述堆叠芯片对应设置，所述拓展布线层与所述基底芯片错位设置；所述结构载板的切割道的宽度W2小于具有所述基底芯片的晶圆片切割时的切割道宽度W1；所述拓展布线层至少部分位于所述基底芯片的切割道区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽电子(宁波)股份有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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