中芯集成电路(宁波)有限公司石虎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种MEMS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115557465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211253855.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS器件及其制造方法是由石虎;刘孟彬;向阳辉设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供顶盖层，所述顶盖层包括第一MEMS器件的区域和第二MEMS器件的区域，分别形成有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中形成气体释放层；将顶盖层与第一基底的第一表面进行第一键合；对第一基底执行第一图案化工艺，以在第一凹槽上方形成第一MEMS器件的第一叉指结构，并在第二凹槽上方形成第二MEMS器件的第二叉指结构；将第一基底的第二表面与第二基底进行第二键合，以形成第一空腔和第二空腔；第二键合还用于使气体释放层受热产生气体，以使第一空腔的真空度低于第二空腔的真空度。本发明实施例的MEMS器件的制造方法，能够同步形成具有不同真空度的第一MEMS器件和第二MEMS器件。
本发明授权一种MEMS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供顶盖层，所述顶盖层包括第一MEMS器件的区域和第二MEMS器件的区域，所述第一MEMS器件的区域形成有第一凹槽，所述第二MEMS器件的区域形成有第二凹槽； 在所述第一凹槽中形成气体释放层； 将所述顶盖层与第一基底的第一表面进行第一键合； 对所述第一基底执行第一图案化工艺，以在所述第一凹槽上方形成所述第一MEMS器件的第一叉指结构，并在所述第二凹槽上方形成所述第二MEMS器件的第二叉指结构； 将所述第一基底的第二表面与第二基底进行第二键合，使所述第一凹槽与所述第二基底共同形成容纳所述第一叉指结构的第一空腔；并使所述第二凹槽与所述第二基底共同形成容纳所述第二叉指结构的第二空腔；所述第二键合还用于使所述气体释放层受热产生气体，以使所述第一空腔的真空度低于所述第二空腔的真空度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号