中科九微科技有限公司史晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中科九微科技有限公司申请的专利一种半导体零部件的超高洁净度清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115591855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211256690.8，技术领域涉及：B08B3/12；该发明授权一种半导体零部件的超高洁净度清洗方法是由史晓宇;樊荣设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体零部件的超高洁净度清洗方法在说明书摘要公布了：本发明属于金属及其制品表面清洗技术领域，尤其涉及一种半导体零部件超高洁净度清洗技术及其应用。本发明所提供的半导体零部件超高洁净度清洗技术将超声清洗及脱脂合二为一，通过在超声清洗的同时加入清洗剂，同时进行超声清洗及脱脂，不仅能够在达到前期超声清洗的效果，而且能去除了半导体零部件表面的脂质，省却单独脱脂步骤；并且在酸蚀及酸洗阶段省去了酸蚀步骤，使用更高浓度的硝酸直接对半导体零部件进行清洗，同时达到了酸蚀和硝酸清洗的效果，两者的改变极大的简化了工艺步骤和减少了原料的消耗，大大提高了清洗的效率和降低生产成本。
本发明授权一种半导体零部件的超高洁净度清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体零部件超高洁净度清洗方法，其特征在于，包括以下步骤： 对半导体零部件依次进行超声脱脂清洗、一次纯水溢流清洗、酸洗、二次纯水溢流清洗、纯水高压冲洗、热纯水溢流清洗、以及惰性气体吹干；其中， 所述超声脱脂清洗步骤使用浓度为12％vv～18％vv的清洗剂，所述清洗剂的成分包括焦磷酸钾、四硼酸钾，在所述超声脱脂清洗步骤中，先将所述半导体零部件置于所述清洗剂中浸泡2～3min，之后再进行超声清洗5～10min； 所述一次纯水溢流和或所述二次纯水溢流清洗的时间为2～5min，当纯水中的铜含量＞30ppb时更换所述纯水， 所述酸洗步骤为使用浓度为50％vv的硝酸水溶液清洗3～5min，在所述酸洗步骤中，当所述硝酸水溶液中的铜含量＞10ppm时更换所述硝酸水溶液。
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