无锡中微亿芯有限公司曹正州获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211180499.X，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路是由曹正州;徐玉婷设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路，涉及SRAM型可编程逻辑器件领域，本申请利用SRAM型可编程逻辑器件有固定的几个工作阶段且有相应的标志位的特性，在配置阶段，通过电压管理电路给连接在字线电路和配置SRAM之间的字线驱动器提供大于内核逻辑电压的字线驱动电压，从而可以将字线电压抬高至字线驱动电压提供给选中的配置SRAM，在不影响稳定性的情况下改善配置SRAM的写入性，优化整个SRAM型可编程逻辑器件的性能。而且调节时的负载仅有选中的若干个配置SRAM，负载较小，可以快速响应，可以减小对器件的工作频率的影响。
本发明授权一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路在权利要求书中公布了：1.一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路，其特征在于，所述SRAM型可编程逻辑器件中，字线电路的每个字线通道通过一个字线驱动器连接对应的若干个配置SRAM，所述电压管理电路连接各个字线驱动器提供字线驱动电压WL_VDD，所述电压管理电路还连接所有配置SRAM提供所述配置SRAM的供电电压SRAM_VDD； 所述电压管理电路执行的方法包括： 当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于配置阶段时，给各个字线驱动器提供大于内核逻辑电压VCCINT的字线驱动电压WL_VDD，选通的字线通道所连接的字线驱动器将所述字线通道输出的字线电压转换为所述字线驱动电压WL_VDD并提供给当前选中的若干个配置SRAM；当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于清零阶段时，给所有配置SRAM提供小于内核逻辑电压VCCINT的供电电压SRAM_VDD，使得所有配置SRAM通过一次循环完成数据清零。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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