厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利半导体发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211171078.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体发光元件及其制备方法是由郑锦坚;丘金金;邬元杰;常亮;高默然;毕京锋设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体发光元件及其制备方法，其中所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、第一n型中间层、第二n型中间层、量子阱层以及p型半导体层，所述第一n型中间层和第二n型中间层中掺杂Si，所述第二n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比小于第一n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比。本发明提供的半导体发光元件具有较高的发光效率以及光电转换效率。
本发明授权半导体发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、第一n型中间层、第二n型中间层、量子阱层以及p型半导体层，所述第一n型中间层和第二n型中间层中掺杂Si，所述第二n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比小于第一n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比，所述第一n型中间层中的Si与非故意掺杂O的浓度比小于所述n型半导体层中的Si与非故意掺杂O的浓度比，且所述第一n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比小于所述n型半导体层中的Si与非故意掺杂C的浓度比，各结构层中的各组分浓度为平均浓度或者峰值浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，其通讯地址为：361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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