中国科学院微电子研究所张紫辰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211169855.8，技术领域涉及：G02B6/38；该发明授权一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯是由张紫辰;李朋;侯煜;张昆鹏;石海燕;李曼;王然;岳嵩;张喆;文志东;薛美设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯，该MT插芯的制造方法包括：提供一玻璃基板，玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面；采用激光工艺去除玻璃基板的表面的污渍；对玻璃基板内的至少一个待加工光纤孔位置处进行激光分层加工改性，以在玻璃基板内形成至少一个改性区，其中，每个改性区均贯穿第一端面和第二端面；采用选择性腐蚀工艺去除每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔；对每个光纤孔的孔壁进行抛光处理；采用激光工艺在每个光纤孔两端端口中的至少一个端口处进行倒角。利用玻璃基板的耐温性好，热膨胀系数小的特性，能够解决目前MPO连接器耐温性差，在高温条件下稳定性差等缺陷。
本发明授权一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯在权利要求书中公布了：1.一种MT插芯的制造方法，所述MT插芯应用于MPO连接器，其特征在于，包括： 提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面； 采用激光工艺去除所述玻璃基板的表面的污渍； 对所述玻璃基板内的至少一个待加工光纤孔位置处进行激光分层加工改性，以在所述玻璃基板内形成至少一个改性区，其中，每个改性区均贯穿所述第一端面和第二端面； 采用选择性腐蚀工艺去除每个改性区中的材料，以在所述玻璃基板内形成至少一个光纤孔； 对每个光纤孔的孔壁进行抛光处理； 采用激光工艺在每个光纤孔两端端口中的至少一个端口处进行倒角； 其中，采用选择性腐蚀工艺去除每个改性区中的材料包括： 将玻璃基板放入带有磁性粉末的氢氟酸溶液中； 在承载有磁性粉末的氢氟酸溶液的周围外加交流磁场，驱动氢氟酸溶液流动，选择性腐蚀掉每个改性区中的材料。
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