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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211206649.X，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法是由刘波;迟克群;唐晓莉;刘梦丽设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法，涉及磁存储技术领域，在压电伸缩层上表面即隧道结同一平面内设计一对面内电极，且在基片下表面制备一底电极，利用上表面内单个电极及底电极对压电伸缩层垂直方向施加电压，利用逆磁电耦合效应可使隧道结自由层磁矩实现偏离初始磁矩取向90°内的转动；在此基础上利用面内一对电极施加正、负电压从而引入局域应变，可使磁矩分别转向初始磁矩45°和135°方向，以此辅助磁矩克服90°方向的翻转势垒。由此，以一定规律施加电压即可实现磁矩可逆、可重复的180°翻转，得到自由层与固定层之间平行态与反平行态的调制，实现最大的隧道磁电阻调控，有利于发展低功耗的压控磁存储器件。

本发明授权一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法在权利要求书中公布了：1.一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选用压电磁存储的压电伸缩层（2），所述压电伸缩层（2）能实现在其上下表面加电压时，无论是正电压还是负电压，该压电伸缩层（2）的晶轴方向均产生负应变，[001]晶轴方向设为x方向； 步骤2：在压电伸缩层（2）上表面制备磁性隧道结薄膜，从压电伸缩层（2）上依次制备缓冲层（3）、自由层（4）、氧化物势垒层（5）、固定层（6）和反铁磁层（7）；其中，在施加电压时自由层（4）磁矩由于磁电耦合效应会根据磁弹耦合能的大小发生转动，而固定层（6）磁矩则基本不受影响； 步骤3：在压电伸缩层（2）上表面制备一对电极D1、D2，两个电极大小相同，相互平行并分布在隧道结两侧，两个电极中心连线为x’方向，在面内偏离x轴45°方向，与x’垂直的方向设为y’方向，偏离x轴135°方向； 同时，在下电极板（1）表面制备另一电极D3，用于电压施加，其中电极板及电极材料选择Cu、Ag、Au，步骤4：当用于隧道结制备的自由层（4）磁性材料磁致伸缩系数为正时，在初始状态下，将自由层（4）磁性薄膜的初始磁矩设置在x轴正方向,通过对D1、D3这一对电极施加电压，因为逆磁电耦合效应自由层（4）的初始磁矩可转向y轴方向，对D1、D2这一对电极施加正、负电压可使自由层（4）的初始磁矩分别转向x’、y’方向； 电极D1连接有开关K1，电极D2连接有开关K2，开关K1与开关K2通过连接线电连接；开关K1与开关K2之间的连接线与电源E的正极电连接，电极D3与电源的负极电连接； 当用于隧道结制备的自由层（4）磁性材料磁致伸缩系数为负时，在初始状态下，将自由层（4）磁性薄膜的初始磁矩设置在y轴正方向，通过对D1、D3这一对电极施加电压，因为逆磁电耦合效应自由层（4）的初始磁矩可转向x轴方向，对D1、D2这一对电极施加正、负电压可使自由层（4）的初始磁矩分别转向y’、x’方向。

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