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龙图腾网获悉上海矽睿科技股份有限公司申请的专利一种三轴磁传感器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211156554.1，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权一种三轴磁传感器及其制备工艺是由郭慧芳;肖勇设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三轴磁传感器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种三轴磁传感器及其制备工艺，所述三轴磁传感器包括形成有至少两个沟槽的衬底、第一磁感测机构、第二磁感测机构及第三磁感测机构；第一磁感测机构用以感测第一方向的磁场；第二磁感测机构用以感测第二方向的磁场；第三磁感测机构用以感测第三方向的磁场；第一磁感测机构和第二磁感测机构设置在衬底的表面，第三磁感测机构设置在沟槽内；通过至少一个第一磁感测机构和或至少一个第二磁感测机构将至少一对相邻的沟槽间隔开。本发明可降低工艺加工误差，提高工艺窗口，改善产品的整体良率。

本发明授权一种三轴磁传感器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种三轴磁传感器，其特征在于，所述三轴磁传感器包括： 衬底，所述衬底的表面部分凹陷形成至少两个沟槽； 至少一个第一磁感测机构，用以感测第一方向的磁场； 至少一个第二磁感测机构，用以感测第二方向的磁场；以及 至少两个第三磁感测机构，用以感测第三方向的磁场； 所述第一方向与所述第二方向能形成一平面，且所述平面对应所述衬底的表面，所述第三方向与所述衬底的表面相交；各所述沟槽均沿所述第一方向排布设置，或均沿所述第二方向排布设置，或者部分沿所述第一方向排布设置，部分沿所述第二方向排布设置；所述第一磁感测机构、所述第二磁感测机构均设置在所述衬底的表面上，所述第三磁感测机构设置在所述沟槽内，且各所述第三磁感测机构与各所述沟槽一一对应；沿所述第一方向排布设置的所述沟槽中至少有一对相邻的所述沟槽被至少一个所述第一磁感测机构间隔开，和或沿所述第二方向排布设置的所述沟槽中至少有一对相邻的所述沟槽被至少一个所述第二磁感测机构间隔开； 所述第一磁感测机构包括至少一根第一磁阻条，各所述第一磁阻条沿所述第二方向延伸设置；所述第二磁感测机构包括至少一根第二磁阻条，各所述第二磁阻条沿所述第一方向延伸设置；所述第三磁感测机构包括至少一根第三磁阻条，各所述第三磁阻条设置于对应沟槽的侧壁；各所述第三磁阻条中，均沿所述第一方向延伸设置，或均沿所述第二方向延伸设置，或者部分沿所述第一方向延伸设置、部分沿所述第二方向延伸设置； 相邻设置的所述第一磁阻条与所述第三磁阻条之间设有不接入惠斯通电桥的伪磁阻条，和或相邻设置的所述第二磁阻条与所述第三磁阻条之间设有不接入惠斯通电桥的伪磁阻条。

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