惠州佰维存储科技有限公司孙成思获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州佰维存储科技有限公司申请的专利一种晶圆颗粒分离方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115476053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211103700.4,技术领域涉及:B23K26/38;该发明授权一种晶圆颗粒分离方法是由孙成思;陈健设计研发完成,并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆颗粒分离方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种晶圆颗粒分离方法,按照预设切割深度对涂覆激光切割保护液后的晶圆的预设切割道进行激光切割,得到切割后的晶圆,所述预设切割深度小于所述预设切割道的厚度;基于所述切割后的晶圆进行冷扩分离,得到晶圆颗粒,即先对切割道进行激光切割,且不切断,只是破开一道口子,达到损伤切割道的目的,后续隐切时,仅在晶圆内部改质,在冷扩分离时,由于切割道开槽位置脆弱,冷扩力可由隐切位置导向切割道脆弱位置,较易的将晶圆颗粒分离,避免芯片die晶片开裂,从而有效提高晶圆颗粒分离质量,进而提高产品良率。
本发明授权一种晶圆颗粒分离方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆颗粒分离方法,其特征在于,包括步骤: 按照预设切割深度对涂覆激光切割保护液后的晶圆的预设切割道进行激光切割,得到切割后的晶圆,所述预设切割深度小于所述预设切割道的厚度; 基于所述切割后的晶圆进行冷扩分离,得到晶圆颗粒; 所述按照预设切割深度对涂覆激光切割保护液后的晶圆的预设切割道进行激光切割,得到切割后的晶圆之前包括步骤: 在晶圆的背面贴附钢化膜,得到贴膜后的晶圆; 基于所述贴膜后的晶圆的正面涂覆激光切割保护液,得到涂覆激光切割保护液后的晶圆; 所述钢化膜为UV膜; 所述基于所述切割后的晶圆进行冷扩分离,得到晶圆颗粒包括: 清洗所述切割后的晶圆上的所述激光切割保护液,得到清洗后的晶圆; 对所述清洗后的晶圆进行UV照射,直至去除表面的所述UV膜,得到晶圆裸片; 在所述晶圆裸片的正面贴附研磨保护膜,得到重贴膜后的晶圆; 对所述重贴膜后的晶圆的所述预设切割道进行隐形激光切割,得到隐形切割后的晶圆; 将所述隐形切割后的晶圆研磨至目标厚度,得到研磨后的晶圆; 对所述研磨后的晶圆进行冷扩分离,得到晶圆颗粒。
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