北京镓和半导体有限公司唐为华获国家专利权
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龙图腾网获悉北京镓和半导体有限公司申请的专利一种α相氧化镓晶体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211105969.6，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种α相氧化镓晶体的制备方法是由唐为华;冯淦荣;李山设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种α相氧化镓晶体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种α相氧化镓晶体的制备方法。通过设计腔体结构、选定坩埚及熔盐材料，成功在高温高压的六面顶压机内生长出α相氧化镓晶体。上述方法包括以下步骤：取一定粒度的5N氧化镓粉末β相和熔盐材料按一定比例充分混合后进行静压成型；在手套箱内将氧化镓籽晶α相放置在坩埚底部后将成型后的原料压入坩埚；采用常规密封方式将坩埚密封后置于六面顶压机内；升压升温后以常规方法包括缓慢降温法、温度梯度法、降温降压法进行一定时间的生长即可得到毫米级的α相氧化镓晶体。
本发明授权一种α相氧化镓晶体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种α相氧化镓单晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：取粒度为4~20的β相氧化镓粉末和烧碱在水中充分混合；将混合后的溶液加入原料坩埚后置于常规加热炉内；将炉体抽真空后通以流动的惰性气体；加热原料坩埚至200~300℃保持0.5~3小时充分去除水分；将得到的粉体进行静压成型后放入干燥箱备用；将得到的原料、α相氧化镓籽晶、坩埚放入充满惰性气体的手套箱中；在手套箱中将籽晶放入坩埚底部后将成型后的原料压入坩埚，并将坩埚焊接密封；将坩埚和组装块组合，其垂直方向由保温材料和石墨圆盘组成，径向由石墨衬套包裹；组装完成后置于六面顶压机内；以100~500℃小时的速率将系统温度上升至900~1100℃，同时将系统压力上升至3~5GPa，保温保压0.5~100小时；待炉内降至常温常压后，将坩埚取出后切割，再取出其中成品，以纯水清洗后即可得到透明的α相氧化镓单晶。
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