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龙图腾网获悉福州大学申请的专利应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115638888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211088040.7，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器是由黄继伟;刘皓宇;郭屹粟;金靖设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器，采用双极型晶体管与MOS管作为温感元件，通过Sigma‑DeltaADC将温度前端电路输出的与温度相关的模拟电压量转换为数字输出D OUT 。温度前端电路基于MOSFET亚阈值温度特性进行设计，避免了电阻元件的使用，有效降低了电路静态功耗。此外，该TDC采用了动态偏置比较器与互补结构T型开关，进一步提高了能源利用效率。该传感器用于MEMS时钟温度补偿模块，为其提供高精度、高分辨率的温度信息，该结构针对温度传感器功耗进行了优化，其小体积低功耗特性使其适用于MEMS时钟应用。

本发明授权应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器，其特征在于，包括：温度前端电路、15bit二阶Sigma-DeltaADC和时序产生电路； 所述温度前端电路，用于提供与温度分别呈正相关和负相关的模拟电压量； 所述15bit二阶Sigma-DeltaADC，用于处理由温度前端电路产生的与温度相关的电压信号，输出一个包含温度信息的脉冲宽度调制信号； 所述时序产生电路，提供Sigma-DeltaADC中用于控制采样保持电路的非交叠时钟； 所述的温度前端电路包括：启动电路、亚阈值电流偏置电路、CTAT电压产生电路以及PTAT电压产生电路； 所述启动电路用于消除每条支路电流为零的情况； 所述亚阈值电流偏置电路，用于提供精准的偏置电流给CTAT电压产生电路以及PTAT电压产生电路，输出为一个与温度正相关的电流； 所述CTAT电压产生电路，用于产生与温度呈负相关的电压V BE ； 所述PTAT电压产生电路，用于提供一个与温度正相关的电压； 所述亚阈值电流偏置电路利用工作在亚阈值区的MOS管，产生与温度正相关的偏置电流，为双极性晶体管与PTAT电压产生电流提供偏置电流，以减小V BE 的温度非线性； 所述PTAT电压产生电路，利用工作在亚阈值区的MOS管的电流特性，产生与温度正相关的电压； 并通过多级类差分PTAT电压产生电路并联的形式，得到一个与V BE 的负温度特性相抵消的正温度相关的电压，以避免ADC中利用电容对正温度系数电压进行放大。

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