华灿光电(浙江)有限公司尚玉平获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211095304.1，技术领域涉及：H10H20/818；该发明授权提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法是由尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。
本发明授权提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层，利用Mg偏向于在化学活性较强的位错中心附近富集的特点，通入Mg源处理后，处理过程中Mg偏向于在V型坑的位置处聚集，使所述InGaN量子阱层表面恢复平整；利用所述p型GaN层产生的空穴将压电极化负电荷中和，降低极化电荷密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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