电子科技大学林彬获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利离子导体集成电路及制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211067199.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权离子导体集成电路及制备方法与应用是由林彬;王国庆设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子导体集成电路及制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域，提供了离子导体集成电路及制备方法与应用，能够制备尺寸更小更薄，而且离子传输速率快，而且灵敏度高，功耗更低的集成电路。本发明制造的原子尺度离子导体集成电路，不仅可集成度高，可解决集成电路中存在的尺寸效应和量子力学效应等问题，也可以为大尺寸传感器或者集成电路其他关键零部件材料提供新的思路。本发明采用原子尺度氮化硼等材料作为离子导体集成电路的核心材料，具有良好的电绝缘性、导热性、耐化学腐蚀性等优点，同时成本低廉，制造工艺成熟，容易制得，作为商业化用途很有展望。
本发明授权离子导体集成电路及制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.离子导体集成电路，其特征在于：离子导体集成电路包含基底1、原子尺度离子导体2、金属层3和钝化层4； 其中，原子尺度离子导体2的材料是六方氮化硼，所述原子尺度离子导体2设置于所述基底1上，执行预设的刻蚀工艺利用飞秒激光加工技术、非线性激光加工技术方法对原子尺度离子导体2进行刻蚀，通过构建不同方向和尺寸的空位缺陷，来构建原子尺度的离子传输通道；在所述原子尺度离子导体2上放置金属层3，所述金属层3包括功率放大器；所述钝化层4设置于基底1、原子尺度离子导体2和金属层3的正上方，对离子导体集成电路进行封装。
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