上海华力微电子有限公司李哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种电容测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115480105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211042217.X，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种电容测试结构及测试方法是由李哲;秋沉沉设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容测试结构及测试方法，所述测试方法包括如下步骤：步骤S1，在短接的源漏端施加一固定的小于该MOS器件的开启电压的漏极电压；步骤S2，在栅极端施加扫描电压，使电容器件始终处于线性工作状态下；步骤S3，获取漏极电流，建立所述漏极电流与栅源电压的关系模型；步骤S4，根据获得的所述漏极电流与栅源电压的关系模型得到跨导栅极电压曲线，从而得到电容随栅极电压变化的曲线，本发明解决了传统C‑V扫描测试不能精确测量小尺寸MOS器件工作状态下真实电容变化的问题。
本发明授权一种电容测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件电容测试装置，包括源端、漏端、栅极以及衬底端，源漏端短接，其特征在于：在短接的源漏端施加一固定的小于该MOS器件的开启电压的漏极电压Vds，在栅极端施加扫描电压，使电容器件始终处于线性工作状态下； 通过监测漏极电流Id随栅源电压Vgs的变化曲线，根据所述漏极电流Id随栅源电压Vgs的变化曲线获取跨导栅极电压曲线，从而得到电容随栅极电压变化的曲线； 通过将所述漏极电流Id对栅源电压Vgs求导得到跨导Gm，从而得到所述跨导栅极电压曲线，其中，，为器件宽度，L为器件长度，C为器件电容。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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