广东中图半导体科技股份有限公司曾广艺获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化衬底、制备方法及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211027249.2，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种图形化衬底、制备方法及LED外延片是由曾广艺;王子荣设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化衬底、制备方法及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种图形化衬底、制备方法及LED外延片，制备方法包括提供一蓝宝石基底；在基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层或混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层；通过刻蚀工艺对复合异质层或带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构，多个表面粗糙的第一异质微结构能够促进外延层内部的位错沿图形侧面以及在图形顶部的合拢，提高外延材料的晶体质量、减小衬底表面的应力影响，同时保证图形化衬底对光线路径的改善，衬底与异质材料较大的折射差也能够提升出光的提取效率。
本发明授权一种图形化衬底、制备方法及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供一蓝宝石基底； 在所述蓝宝石基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层，对所述带孔隙异质层进行表面改性处理，以使所述带孔隙异质层具备疏水性；或者，在所述蓝宝石基底上混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层，至少两种异质材料包括第二异质材料和第三异质材料，所述第二异质材料和所述第三异质材料的刻蚀速率不同，所述第三异质材料的折射率小于所述第二异质材料的折射率，从而增大所述复合异质层与所述蓝宝石基底的折射率差； 通过刻蚀工艺对所述复合异质层或所述带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构。
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