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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善断裂的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211024521.1，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权改善断裂的发光二极管及其制备方法是由兰叶;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善断裂的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、第一电极和第二电极，所述外延层在所述基板上的正投影为矩形，所述外延层的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端，所述第一电极位于所述凹槽中，所述第二电极位于所述凹槽外。本公开实施例能提升发光二极管的强度，改善外延层上开设凹槽后，发光二极管容易断裂的问题。

本发明授权改善断裂的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：基板（10）、外延层（20）、第一电极（31）和第二电极（32），所述外延层（20）在所述基板（10）上的正投影为矩形，所述外延层（20）的表面具有凹槽（24），所述凹槽（24）位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端，所述第一电极（31）位于所述凹槽（24）中，所述第二电极（32）位于所述凹槽（24）外，所述凹槽（24）的侧壁与所述凹槽（24）的底面的夹角为钝角； 所述外延层（20）包括依次层叠的n型层、多量子阱层（22）和p型层，所述凹槽（24）位于所述p型层的表面且露出所述n型层；所述p型层的第一局部区域（230）注入有硅离子，且所述第一局部区域（230）与所述凹槽（24）相邻，所述第一局部区域（230）包括第一框形部（231）和第二框形部（232），所述第一框形部（231）沿所述p型层的边缘延伸，所述第二框形部（232）位于所述第一框形部（231）内，所述第一框形部（231）中单位体积注入的硅离子的量高于所述第二框形部（232）中单位体积注入的硅离子的量； 所述p型层的第二局部区域（240）注入有硅离子，所述第二局部区域（240）呈弧形，且位于所述第二框形部（232）内，所述第二局部区域（240）中单位体积注入的硅离子的量高于所述第二框形部（232）中单位体积注入的硅离子的量，且低于所述第一框形部（231）中单位体积注入的硅离子的量。

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