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龙图腾网获悉成都功成半导体有限公司申请的专利一种常开型GaN HEMT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211616618.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种常开型GaN HEMT功率器件是由王中健;曹远迎设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种常开型GaN HEMT功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种常开型GaNHEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；所述AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均延伸连接至所述GaN层中；所述GaN层中设置有空腔，所述空腔的下端延伸至所述缓冲层中，所述空腔的上端位于源极和漏极的沟道下方，所述AlGaN层上外延有p型GaN，所述栅极位于所述p型GaN上。本发明通过在GaN层形成空腔，一方面减少了沟道下方GaN层的厚度，减少了漏电通道，减少漏电，另一方面，使得AlGaNGaN界面二维电子气密度增加，提高器件性能，同时实现常开型型器件。

本发明授权一种常开型GaN HEMT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种常开型GaNHEMT功率器件，其特征在于，包括从下至上依次连接的第三衬底（1）、第二中间层（2）、缓冲层（3）、GaN层（4）和AlGaN层（5）；所述AlGaN层（5）上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均延伸连接至所述GaN层（4）中；所述GaN层（4）中设置有空腔（6），所述空腔（6）的下端延伸至所述缓冲层（3）中，所述空腔（6）的上端位于源极和漏极的沟道下方； 所述GaNHEMT功率器件的制备方法包括以下步骤： S1、在第一衬底（8）上依次外延缓冲层（3）、GaN层（4）和AlGaN层（5）； S2、在所述AlGaN层（5）上旋涂或沉积第一中间层（9），并在所述第一中间层（9）上键合第二衬底（10）； S3、研磨加选择性刻蚀去掉所述第一衬底（8）漏出所述缓冲层（3），在所述缓冲层（3）上旋涂光刻胶并开窗口； S4、依次刻蚀所述缓冲层（3）、GaN层（4）形成刻蚀槽，其中，刻蚀槽延伸至所述GaN层（4）内部后停止刻蚀并去除所述光刻胶； S5、在所述缓冲层（3）上键合旋涂或沉积有第二中间层（2）的第三衬底（1），并让所述第二中间层（2）盖住所述刻蚀槽，形成空腔（6）； S6、去掉所述第一中间层（9）和第二衬底（10），并在所述AlGaN层（5）上制造源极、漏极和栅极，得到GaNHEMT功率器件； 所述AlGaN层（5）上外延有p型GaN（7），所述栅极位于所述p型GaN（7）上；所述空腔（6）上方的GaN层（4）厚度为0.2um-1um。

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