大连海事大学王颖获国家专利权
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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种双沟槽型碳化硅中子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210993292.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种双沟槽型碳化硅中子探测器是由王颖;张立龙;包梦恬;曹菲设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双沟槽型碳化硅中子探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双沟槽型碳化硅中子探测器结构，包括：4H‑SiC衬底、设置在4H‑SiC衬底上方的4H‑SiC外延层、开设在4H‑SiC外延层正面的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽交错设置；第一沟槽内设有中子转换材料10B粉末，第二沟槽内设有中子转换材料6LiF粉末；所述4H‑SiC外延层正面台面上设有P型欧姆接触电极，背面台面上设有N型欧姆接触电极。相比于传统的单沟槽型结构碳化硅中子探测器，本发明提出的双沟槽结构充分利用了10B和6LiF与热中子发生核反应的特点，大幅度提升本征探测效率。
本发明授权一种双沟槽型碳化硅中子探测器在权利要求书中公布了：1.一种双沟槽型碳化硅中子探测器，其特征在于，包括： 4H-SiC衬底1、4H-SiC外延层2、离子注入形成的P+区3、多个宽度不同的第一沟槽6和第二沟槽7； 所述4H-SiC外延层2在所述4H-SiC衬底1的上方，4H-SiC外延层2正面开设第一沟槽6和第二沟槽7，所述第一沟槽6和第二沟槽7交错排列； 所述离子注入形成的P+区3在所述第一沟槽6和第二沟槽7的内壁、底面和台阶面上； 所述第一沟槽6和第二沟槽7内填充中子转换材料；所述中子转换材料包括10B粉末和6LiF粉末，所述10B粉末在所述第一沟槽6内，所述6LiF粉末在所述第二沟槽7内；所述双沟槽型碳化硅中子探测器还包括P型欧姆接触电极4和N型欧姆接触电极5，所述P型欧姆接触电极4在所述4H-SiC外延层2台面上的离子注入形成的P+区3上方，所述N型欧姆接触电极5在所述4H-SiC外延层2背面。
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