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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种具有垂直沟道的碳化硅器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210961892.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种具有垂直沟道的碳化硅器件及制备方法是由陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有垂直沟道的碳化硅器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅功率器件技术领域，具体涉及一种具有垂直沟道的碳化硅器件及制备方法，包括：衬底；外延层，形成于衬底的上方；一对阱区，埋设于外延层中；一对第一沟槽，形成于外延层中，底部到达阱区；栅氧化层，形成于外延层上，并沿第一沟槽的侧壁延伸至阱区；多晶硅层，形成于栅氧化层上，并沿第一沟槽的侧壁延伸至底部；层间介质层，形成于外延层和多晶硅层上方。有益效果在于：通过设置第一沟道并使得栅氧化层和多晶硅层沿第一沟道的侧壁延伸至阱区，在第一沟道内形成11‑20晶向或1‑100晶向的垂直导电沟道，相对于现有技术的平面型导电沟道提高了电子迁移率，减小了导通电阻。同时，第一沟槽底部的设置有阱区，在反向阻断时实现了对电场的屏蔽。

本发明授权一种具有垂直沟道的碳化硅器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直沟道的碳化硅器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有第一掺杂类型； 外延层，所述外延层形成于所述衬底的上方，所述外延层具有所述第一掺杂类型； 一对阱区，所述阱区埋设于所述外延层中，所述阱区具有第二掺杂类型； 一对第一沟槽，所述第一沟槽形成于所述外延层中，所述第一沟槽的底部到达所述阱区中； 栅氧化层，所述栅氧化层形成于外延层上方，并沿所述第一沟槽的侧壁延伸至所述阱区的上方； 多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述栅氧化层上方，并沿所述第一沟槽的侧壁延伸至所述第一沟槽的底部； 层间介质层，所述层间介质层形成于所述外延层和所述多晶硅层上方； 一对第一接触孔，所述第一接触孔形成于所述第一沟槽的上方，所述第一接触孔穿过所述层间介质层到达所述阱区； 第二接触孔，所述第二接触孔形成于所述层间介质层中并到达所述多晶硅层，所述第二接触孔位于所述第一沟槽之间的区域； 所述第一接触孔和所述第二接触孔中填充有金属介质； 所述碳化硅器件还包括： 一对第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一接触孔上方； 第二金属层，所述第二金属层形成于所述第二接触孔上方； 第三金属层，所述第三金属层形成于所述衬底的下方； 源区，所述源区形成于所述第一沟槽的底部。

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