华灿光电(浙江)有限公司芮哲获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210950041.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法是由芮哲;高艳龙;秦双娇;尹灵峰设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、绝缘层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述衬底、所述外延层和所述绝缘层依次层叠，所述绝缘层具有露出所述外延层的过孔，所述透明导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的表面，且通过所述过孔延伸至所述外延层的表面；所述第一电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述过孔在所述衬底上的正投影之外，所述第二电极位于所述外延层的表面，且与所述透明导电层绝缘。本公开实施例能改善发光区域缩小后，因电极吸光而影响发光效率的问题。
本发明授权改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底10、外延层20、绝缘层30、透明导电层40、第一电极51和第二电极52； 所述衬底10、所述外延层20和所述绝缘层30依次层叠，所述绝缘层30具有露出所述外延层20的过孔33，所述透明导电层40位于所述绝缘层30远离所述衬底10的表面，且通过所述过孔33与所述外延层20相连； 所述第一电极51位于所述透明导电层40远离所述衬底10的表面，所述第一电极51在所述衬底10上的正投影位于所述过孔33在所述衬底10上的正投影之外，所述外延层20包括依次层叠于所述衬底10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述第二电极52位于所述第一半导体层21的表面，且与所述透明导电层40绝缘。
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