欣旺达电子股份有限公司冯静获国家专利权
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龙图腾网获悉欣旺达电子股份有限公司申请的专利二次电池及用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210907174.0，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权二次电池及用电设备是由冯静设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本二次电池及用电设备在说明书摘要公布了：本发明公开了二次电池及用电设备。所述二次电池包含锂金属层、固态电解质层，以及设置在锂金属层和固态电解质层之间的负极界面修饰层，所述负极界面修饰层包括氟化锂、金属锂合金、PEG、锂盐和碳材料。所述负极界面修饰层包含碳骨架结构，既可以传导锂离子，也可以传导电子；金属锂合金促进锂离子在界面修饰层中的传输；氟化锂具有良好的离子传导能力，抑制锂枝晶的生长，保护金属锂负极，提升金属锂负极的循环稳定性。
本发明授权二次电池及用电设备在权利要求书中公布了：1.二次电池，其特征在于，包含锂金属层、固态电解质层，以及设置在所述锂金属层和所述固态电解质层之间的负极界面修饰层，所述负极界面修饰层包括氟化锂、金属锂合金、PEG、锂盐和碳材料； 所述负极界面修饰层中，氟化锂的重量占整个负极界面修饰层总重量的0.1%~2%； 所述金属锂合金占整个负极界面修饰层总重量的0.5%~10%； 所述锂盐包括：高氯酸锂、六氟磷酸锂、四氟硼酸锂、六氟砷化锂、三氟甲磺酸锂、双三氟甲基磺酰亚胺锂、双草酸硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、硝酸锂、氟烷基磷酸锂、双全氟乙基磺酰亚胺锂、双三氟甲烷磺酰基酰亚胺锂、双氟磺酰基酰亚胺锂、离子液体基锂盐中的一种或几种； 所述PEG的重量占整个负极界面修饰层总重量的0.1wt%~5wt%； 基于所述负极界面修饰层的总重量，所述锂盐的含量为0.1%~2%。
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