西安电子科技大学刘术彬获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115425983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210913174.1,技术领域涉及:H03M3/00;该发明授权一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器是由刘术彬;田丽;张延博;张祥辉;朱樟明设计研发完成,并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器在说明书摘要公布了:本发明提供的一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器,针对第一级采用DWA实现DAC电容失配的一阶整形,针对第二级的非理想效应进行二阶整形,通过数字噪声消除技术处理第二级的数字码,然后和第一级的数字码拼起来得到整体输出。本发明两级实现四阶量化噪声整形效果并完成失配误差整形;同时本发明复用一个运算放大器以满足两级余差放大的要求,并且第二级的各种非理想效应能够被二阶整形,整形效率以及精度较高。由于本发明的第二级电路对各类非理想效应相对不敏感,可以降低电路设计难度。本发明在相同面积开销下单位电容可以有更高取值,减小电容失配,此外本发明能够工作在四种不同模式下,适合不同精度要求的应用场合。
本发明授权一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器在权利要求书中公布了:1.一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器,其特征在于,所述高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器呈差分对称结构,在差分对称结构的上下对称电路中均包括:采样开关、第一级拆分电容阵列、第二级电容阵列以及DWA逻辑单元, 其中,第一级拆分电容阵列的上极板以及第二级电容阵列的上极板连接在一起接入一个采样开关,采样开关的另一端接入第一输入信号(VCM);第一级拆分电容阵列的下极板以及第二级电容阵列的下极板均连接信号选择输入端; 互相对称的两个第一级拆分电容阵列的上极板通过一个NS模块连接,每一个第二级电容阵列的上极板连接比较器的一个输入端,比较器的输出端连接一个SAR逻辑单元,SAR逻辑单元与每一个DWA逻辑单元相连; 所述第一级拆分电容阵列以及第二级电容阵列,用于在DWA逻辑单元或SAR逻辑单元的控制下改变自身接入的输入信号,以使上下极板的电压信号发生变化反馈至比较器,并根据比较器的比较结果重新执行SAR逻辑单元联合DWA逻辑单元调整第一级拆分电容阵列的输入信号的过程,在下极板电压不变后,通过NS模块放大并存储放大后的上极板电压,在下一周期采样结束后反馈至第一级拆分电容阵列以及第二级电容阵列; 所述信号选择输入端用于输入由SAR逻辑或DWA逻辑单元控制的第二输入信号中的一个或由采样时钟控制的第三输入信号(VIN);所述第二输入信号包括:第一输入信号(VCM)、第一参考电压信号(VREFN)和第二参考电压信号(VREFP); 每个第一级拆分电容阵列包括7个电容值相同的单位电容,7个电容之间并联;每个第二级电容阵列中包括5个电容,分别是冗余电容、三个二进制电容以及一个权重电容,5个电容之间并联;第一级拆分电容阵列与连接第二级电容阵列的上极板接入比较器的一个输入端以及NS模块的输入端,NS模块的输出端连接第一级拆分电容阵列与连接第二级电容阵列的上极板。
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