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龙图腾网获悉北京时代全芯存储技术股份有限公司申请的专利三态内容寻址存储单元以及三态内容寻址存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115273938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210881371.X，技术领域涉及：G11C15/04；该发明授权三态内容寻址存储单元以及三态内容寻址存储器是由甘东设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本三态内容寻址存储单元以及三态内容寻址存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种TCAM单元，属于半导体集成电路设计领域。本发明的TCAM单元包括：CMOS场效应管；互补CMOS场效应管；二极管；互补二极管；存储单元，其第一端与CMOS场效应管的漏极和二极管的负极电连接，且可处于高电阻态和低电阻态；互补存储单元，其第一端与互补CMOS场效应管的漏极和互补二极管的负极电连接；位元选择线，其与存储单元的第二端电连接；互补位元选择线，其与互补存储单元的第二端电连接；匹配线，其与二极管和互补二极管的正极电连接；字元线，其与CMOS场效应管和互补CMOS场效应管的栅极电连接；以及接地线，其与CMOS场效应管和互补CMOS场效应管的源极电连接。本发明的TCAM单元漏电电流低，工作和待机功耗低，连接线少，存储密度高。

本发明授权三态内容寻址存储单元以及三态内容寻址存储器在权利要求书中公布了：1.一种三态内容寻址存储单元100，其特征在于，包括： CMOS场效应管105； 互补CMOS场效应管106； 二极管107； 互补二极管108； 存储单元109，其第一端与所述CMOS场效应管105的漏极和所述二极管107的负极电连接，且可处于高电阻态和低电阻态； 互补存储单元110，其第一端与所述互补CMOS场效应管106的漏极和所述互补二极管108的负极电连接，且可处于高电阻态和低电阻态； 位元选择线101，其与所述存储单元109的第二端电连接； 互补位元选择线102，其与所述互补存储单元110的第二端电连接； 匹配线103，其与所述二极管107和所述互补二极管108的正极电连接； 字元线104，其与所述CMOS场效应管105和所述互补CMOS场效应管106的栅极电连接；以及 接地线111，其与所述CMOS场效应管105和所述互补CMOS场效应管106的源极电连接。

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